[发明专利]一种单晶加料方法有效
| 申请号： | 202110179533.0 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113046823B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 高文飞 | 申请（专利权）人： | 宇泽半导体（云南）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王美章 |
| 地址： | 675099 云南省楚雄彝族*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶加料方法，属于单晶硅技术领域。方法步骤为：一、首次加料：通过外置加料机于炉体的侧加料口进行首次加料；二、撤机化料：撤下外置加料机，封闭侧加料口，炉体内进行化料；三、二次加料：通过加料筒于炉体的顶加料口进行二次加料；四、等待化料：等待炉体内进行化料；五、重复步骤三和步骤四2~3次，完成加料。本发明的单晶加料方法，充分发挥了外置加料机加料效率快的优点，配合加料筒加料，节省了外置加料机的闲置时间，实现外置加料机能匹配更多单晶炉加料使用，降低了外置加料机的采购数量，节约了生产成本，进而降低单晶硅片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加料 方法 | ||
【主权项】：
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