[发明专利]减小烧结糊膏层连接表面的表面粗糙度的方法及产生装置在审
| 申请号： | 202110167221.8 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113257690A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 尼科·贝克 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 蔡石蒙;黄刚 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及减小烧结糊膏层连接表面的表面粗糙度的方法和产生装置，该连接表面布置成背对上面布置有所述烧结糊膏层的第一连接配对件，该方法具有以下接连的方法步骤：a)将所述烧结糊膏层布置在所述第一连接配对件上，b)借助振动施加装置将振动施加到所述烧结糊膏层，所述振动施加装置被构造用以生成机械振动。此外，本发明涉及一种相关的烧结连接产生装置。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 烧结 糊膏层 连接 表面 粗糙 方法 产生 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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