[发明专利]铌酸锂薄膜双Y分支光波导相位调制器在审
| 申请号： | 202110167064.0 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112965271A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 华勇;郑帅峰;雷成龙;杨春红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G01C19/72 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸锂薄膜双Y分支光波导相位调制器，包括双Y分支光波导相位调制器芯片，所述双Y分支光波导相位调制器芯片包括衬底、二氧化硅层、光波导层和保护层，所述保护层上设有调制电极；所述光波导层包括铌酸锂薄膜层和铌酸锂脊形光波导，所述铌酸锂脊形光波导形成双Y分支光波导结构，两个所述Y分支光波导通过基波导连接，所述基波导的两侧设有辐射区。本发明中，在基波导的两侧设置辐射区，有效消除了辐射模在光路中耦合形成的串扰和噪声问题。另外，基波导采用直线结构，无需进行弯曲波导设计，因而能够使光波导的双Y分支结构以及基波导区域的尺寸大大减小，进而实现双Y分支光波导相位调制器的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 薄膜 分支 波导 相位 调制器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110167064.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
