[发明专利]一种高K围栅场介质纵向双扩散功率器件有效
| 申请号： | 202110147386.9 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112768530B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 姚佳飞;张振宇;郭宇锋;李曼 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 226001 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高K围栅场介质纵向双扩散功率器件，包括半导体漂移区、设置在半导体漂移区上方的半导体阱区、以及设置在半导体漂移区下方的半导体漏区；还包括高K围场介质，将高K围场介质上部刻蚀形成高K围栅介质；所述半导体阱区上方设置有半导体体接触区和半导体源区。本发明在开态时，高K围栅介质降低了器件的阈值电压、沟道电阻以及栅极泄漏电流，增加了器件的跨导和输出电流；栅端金属电极、高K围栅场介质和半导体漂移区构成了MIS电容，在开态时，在漂移区与高K围栅场介质界面处产生电子积累层，降低器件的比导通电阻；在关态时，高K围栅场介质对漂移区有辅助耗尽作用，能够使漂移区具有更高的掺杂浓度，降低器件的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 围栅场 介质 纵向 扩散 功率 器件 | ||
【主权项】：
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