[发明专利]3D存储器件的编程方法在审
| 申请号： | 202110099637.0 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112820330A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 魏文喆;游开开;贾建权;刘红涛;曾洋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件的编程方法，包括：在预充电阶段，经由位线提供预充电压以提高多个存储晶体管的沟道区电压；以及在编程阶段，在多个存储晶体管中的选定存储晶体管的栅极导体上施加编程电压以写入数据，在多个存储晶体管中的未选定存储晶体管的栅极导体上施加导通电压以减小编程干扰，其中，多个存储晶体管中的未选定存储晶体管包括与选定存储晶体管紧邻的第一组存储晶体管，在预充电阶段，在第一组存储晶体管的栅极导体上施加预充电偏置电压以减小沟道区的电子浓度。该编程方法可以抑制选定存储晶体管的编程电压对未选定存储晶体管的编程干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 编程 方法 | ||
【主权项】：
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