[发明专利]一种检测方法有效
| 申请号： | 202110099113.1 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112908882B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈广甸;范光龙;陈金星 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种检测方法，包括提供衬底，衬底上形成有第一台阶结构，以及覆盖第一台阶结构的第一覆盖层，第一覆盖层中形成有第一通孔，第一台阶结构包括依次层叠的第一绝缘层和第一栅极层。第一栅极层的高度根据待测晶圆阶梯区的第二台阶结构中第二栅极层的高度确定，第二栅极层上形成有覆盖第二台阶结构的第二覆盖层，第一覆盖层的高度根据第二覆盖层的高度确定。第一栅极层和第二栅极层具有相同的材料，第一覆盖层和第二覆盖层具有相同的材料，第二覆盖层中形成有第二通孔，第一通孔和第二通孔利用相同刻蚀参数刻蚀得到。通过第一通孔贯穿第一栅极层确定第二通孔贯穿第二栅极层，以通过模拟结构中通孔的刻蚀情况确定待测晶圆中通孔的刻蚀情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 方法 | ||
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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