[发明专利]分栅快闪存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202110088460.4 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112968000A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种分栅快闪存储器的制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层和硬掩模层。形成若干沟槽，所述沟槽依次贯穿所述硬掩模层以及所述浮栅层，并暴露部分所述衬底。对所述沟槽底部的衬底表层执行反型离子注入工艺，以在所述沟槽的底部形成势垒层。继续刻蚀所述沟槽底部的部分厚度的衬底，以使所述沟槽延伸至所述衬底内，且在所述沟槽外围保留部分所述势垒层。采用绝缘介质填充所述沟槽，以形成浅沟槽隔离结构。因此，本发明在填充所述沟槽之前，对所述沟槽执行反型离子注入工艺，以在所述沟槽的底部形成势垒层，避免漏电流进入器件中，造成编程串扰失效，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110088460.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
