[发明专利]一种非对称的电压偏置效应的高压高阻值多晶硅电阻模型在审
| 申请号： | 202110088415.9 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112928208A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/01 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称的电压偏置效应的高压高阻值多晶硅电阻模型，包括第一连接端子(N1)、第二连接端子(N2)、第一寄生电阻(R1)、第二寄生电阻(R2)，所述模型还包括第一多晶硅电阻(R3)、第二多晶硅电阻(R4)，用于在所述第一连接端子(N1)、第二连接端子(N2)加不同电压时正向或反向导通设置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 电压 偏置 效应 高压 阻值 多晶 电阻 模型 | ||
【主权项】：
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