[发明专利]一种FDSOI器件的标准单元库在审
| 申请号： | 202110076200.5 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112951844A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨展悌;苏炳熏;叶甜春;罗军;赵杰;王云 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FDSOI器件的标准单元库，其包括一个以上的标准单元，其特征在于：各标准单元的高度相同，所述标准单元由FDSOI器件组成，FDSOI器件包括背栅，利用FDSOI器件的背栅电压调节各标准单元的运行速度和漏电流。对背栅施加正向偏压与反向电压，可以调节器件的速度和漏电流，比如施加正向偏压，单元库的速度可以变快，或是施加反向电压漏电可变小。因此，在芯片设计上，可以利用同一高度的单元库，即可调节不同的速度、漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fdsoi 器件 标准 单元 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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