[发明专利]一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法在审
| 申请号： | 202110059233.9 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112899790A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周媛;赵有文;谢辉;杨俊;沈桂英;刘京明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法，包括：S1，选用液封直拉法生长的锑化镓单晶片；S2，将锑化镓单晶片有序、间隔地竖直放置在石英样品架上，将石英样品架水平放置在石英管底部；S3，将石英管抽真空，用氢氧焰烧结封口；S4，将封口的石英管放入水平退火炉中退火，退火的升温过程至少包括两段不同的升温速率，退火的降温过程至少包括两段不同的降温速率，升温过程和降温过程之间还包括恒温阶段。本发明通过对液封直拉法生长的锑化镓单晶片进行退火处理，能够有效消除锑化镓单晶片内存在的一部分残余应力，提高残余应力沿单晶片分布的均匀性，有效改善锑化镓单晶片的翘曲、裂纹等问题，从而提高单晶片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 锑化镓单 晶片 残余 应力 退火 方法 | ||
【主权项】：
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