[发明专利]电离层的总电子含量预测方法、装置、设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 202110040079.0 申请日: 2021-01-13
公开(公告)号: CN112862159B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 舒颖;闵阳;曹成度;滕焕乐;吴石军;马龙;郑跃 申请(专利权)人: 中铁第四勘察设计院集团有限公司
主分类号: G06Q10/04 分类号: G06Q10/04;G06F30/27
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 吴薇薇;张颖玲
地址: 430060 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明实施例提供了一种电离层的总电子含量预测方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括:对第n周期内所述电离层的第一总电子含量TEC时间序列进行平稳性检验,得到所述第一TEC时间序列的平稳性参数;其中,所述n为大于或等于1的正整数;根据所述第一TEC时间序列的平稳性参数,确定处理所述第一TEC时间序列的目标模型;基于所述目标模型预测第m周期内的第二TEC时间序列,得到所述第m周期内的所述电离层的TEC预测值,其中,所述m为大于所述n的正整数。
搜索关键词: 电离层 电子 含量 预测 方法 装置 设备 存储 介质
【主权项】:
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