[发明专利]一种氮化-净化去除冶金硅中硼杂质的方法有效
| 申请号： | 202110038313.6 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112794332B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张立峰;李亚琼;任英;杨文;罗艳;姜东滨;音正元 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学;燕山大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C01B21/068 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种氮化‑净化去除冶金硅中硼杂质的方法，属于冶金材料领域。本发明向冶金级硅熔体中加入氮化剂，氮化剂的加入可将硅熔体中的硼杂质转化为氮化物颗粒，而后对氮化后的硅熔体施加电磁力将氮化物颗粒向硅熔体周围聚集，再将硅熔体和氮化物颗粒进行强制冷却并分离，并利用上述分离出的富含氮化物颗粒的多晶硅生产氮化硅；由于氮化物颗粒与硅熔体之间存在明显的导电率差异，因此在电磁力的作用下，氮化物颗粒会富集至熔体周围，从而实现硼杂质和硅熔体的有效分离；此外，将富含氮化物颗粒的多晶硅粉碎，加入氯化铵并在流动性N |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 净化 去除 冶金 硅中硼 杂质 方法 | ||
【主权项】：
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