[发明专利]切割道标记及光刻掩膜版版图的设计方法、设计装置有效
申请号: | 202110023164.6 | 申请日: | 2021-01-08 |
公开(公告)号: | CN112731758B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 章艳 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/68 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高德志 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种切割道标记及光刻掩膜版版图的设计方法、设计装置,其中所述切割道标记的设计方法,提供第一切割道标记,所述第一切割道标记包括透光的第一部分和不透光的第二部分;对所述第一切割道标记进行反相处理,形成第二切割道标记,所述反相处理包括将所述第一切割道标记中至少部分透光的第一部分转化为不透光的第三部分,将所述第一切割道标记中至少部分不透光的第二部分转化为透光的第四部分。本发明在设计新的切割道标记时,对已有的第一切割道标记进行反相处理既可获得,无需进行繁琐的构图设计和尺寸设计等,极大的简化的设计流程,提高了设计的效率,并且形成的第二切割道标记可以直接用于掩膜板的设计中。 | ||
搜索关键词: | 切割 标记 光刻 掩膜版 版图 设计 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110023164.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:轨道巡检检测系统及方法
- 下一篇:一种活塞及活塞环组合结构
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备