[发明专利]带有S缺陷的SnS@C分等级球的制备及其应用有效
| 申请号： | 202110016728.3 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112599753B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 魏明灯;王建标 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 俞舟舟;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有S缺陷的SnS@C分等级球的制备及其应用，采用简单的一步溶剂热法制备出前驱体，然后在400℃煅烧1小时，获得S缺陷的SnS@C分等级球材料。本发明中SnS@C分等级球是具有S缺陷的，这种结构有利于缓解锂离子在嵌入和脱出过程中材料所引起的体积膨胀。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 缺陷 sns 分等级 制备 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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