[发明专利]一种单晶硅异质结太阳能电池用化学镀铜方法有效
申请号: | 202110014923.2 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN112853329B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 田志斌;詹益腾;邓正平;陈维速;谢飞凤 | 申请(专利权)人: | 广州三孚新材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C18/18 | 分类号: | C23C18/18;C23C18/40 |
代理公司: | 广州科沃园专利代理有限公司 44416 | 代理人: | 张帅 |
地址: | 510663 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于化学镀铜领域,具体涉及一种单晶硅异质结太阳能电池用化学镀铜方法。本发明公开的方法包括:在待镀件表面喷涂表面处理溶液,再通过钯离子活化处理和还原处理,然后将处理后的待镀件浸入由15‑20g/L的铜盐、1‑5g/L的还原剂、0.05‑0.15g/L的稳定剂和20‑30g/L的络合剂组成的镀铜液中,一定时间后将镀铜后的镀件表面用去离子水清洗,再以风刀吹去,最后烘干,本方法在实际应用中能够提高单晶硅异质结太阳能电池的镀层结合力,保持较快的镀铜速度,最终所得产品品质较高,符合产业化的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 异质结 太阳能电池 化学 镀铜 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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