[实用新型]一种基于纳米图形衬底的AlInGaN紫外发光二极管有效
| 申请号： | 202023173718.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN214043695U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/24;H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于纳米图形衬底的AlInGaN紫外发光二极管。包括蓝宝石纳米图形衬底，衬底边缘有刻蚀圈，衬底上有一层缓冲薄层，在缓冲薄层和纳米图形衬底之间形成空洞。依次生长的N型AlInGaN接触层，AlInGaN量子阱,AlInGaN电子阻挡层，P型AlInGaN接触层。AlN薄膜和纳米图形衬底之间形成生长的纳孔洞空洞，会形成很好的紫外光反射粗糙面，形成高效紫外出光。所述发光二极管能够有效降低AlN薄膜的位错密度，提高AlN薄膜的生长质量，提升AlInGaN紫外发光二极管的内量子效率。同时，粗糙的纳米级孔洞区能够有效提升紫外光的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 图形 衬底 alingan 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于至芯半导体（杭州）有限公司，未经至芯半导体（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023173718.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
