[实用新型]一种深槽结构高浪涌能力器件

摘要

本实用新型公开了一种深槽结构高浪涌能力器件，具体涉及半导体器件领域，其技术方案是：包括设置在器件容纳槽中的低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1，所述器件容纳槽顶端通过器件密封盖密封，所述低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1并联形成等效结构，所述低残压结构TVS管T1的阳极与低正向残压二极管D1的阳极相连，所述低残压结构TVS管T1的阴极与低正向残压二极管D1的阴极相连，本实用新型的有益效果是：克服了小尺寸下浪涌电流无法提高的问题，从而使得产品能够在更小的尺寸下实现大浪涌保护，采用了深沟槽工艺集成实现并联结构，解决了小尺寸下多芯片封装存在的问题。