[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202011644255.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736130A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 毛维;刘晓雨;杨翠;高北鸾;王海永;杜鸣;马佩军;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化镓基器件有电流崩塌和实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)；该势垒层左侧边缘设有源槽(7)，其上部淀积有源极(9)，右侧边缘设有漏槽(8)，其上部淀积有漏接触(10)，势垒层上部设有栅岛(4)，其上部淀积有栅极(14)；该栅岛右边势垒层上设有浮岛(5)和漏岛(6)，该浮岛上部淀积有浮岛金属(11)，该漏岛上部淀积有漏岛金属(12)，且浮岛与漏接触之间设有凹槽(13)，其内部和上部淀积有肖特基接触(15)。本发明正向阻断与反向阻断好，抑制电流崩塌强，可作为高可靠功率电子系统的基本器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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