[发明专利]GaN基HEMT外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011636477.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736128A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 付羿;周名兵 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基HEMT外延结构将其制备方法，其中，GaN基HEMT外延结构从下至上依次包括：硅衬底层、缓冲层、高阻耐压层、沟道层及势垒层，其中，硅硅衬底层表面制备有多孔结构；缓冲层通过外延侧向生长技术生长于硅衬底层表面。其通过电化学腐蚀的方式在硅衬底表面形成多孔结构的方式，有效抑制硅衬底GaN基HEMT器件的衬底射频损耗，降低GaN基HEMT器件制作成本的同时扩展其应用，尤其可应用于小功率、高密度组网的5G飞基站皮基站。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶能光电（江西）有限公司，未经晶能光电（江西）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011636477.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适用于生产环境中实现构建信息快速查询的系统
- 下一篇：一种输送机
- 同类专利
- 专利分类
