[发明专利]基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法。所述方法包括：在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行碱抛光，所述碱抛光包括依次进行的一次碱抛光和二次碱抛光，所述一次碱抛光和二次碱抛光采用的碱液中，碱的质量分数独立地为20％～30％，所述一次碱抛光的温度为65℃～80℃，所述二次碱抛光的温度比所述一次碱抛光的温度低10℃～15℃。本发明的方法通过在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行二次碱抛光处理形成“镜面”结构，不仅可以实现背面对光的高反射率，还增加了全接触钝化材料及氮化硅膜的均匀性及致密性。