[发明专利]一种红外热电堆传感器的制造方法有效

专利信息
申请号: 202011606853.1 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112736185B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 韩凤芹;向阳辉;丁敬秀 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: H10N10/01 分类号: H10N10/01;H10N10/17;H10N19/00;H01C17/14;H01C17/12;H01C7/00
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 张立君
地址: 315800 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种红外热电堆传感器的制造方法,包括基板以及形成在所述基板上的热敏电阻,其中在所述基板上形成所述热敏电阻的方法包括:提供基板;通过沉积工艺在所述基板上形成热敏电阻薄膜层;图形化所述热敏电阻薄膜层,形成所述热敏电阻;在所述热敏电阻的两端通过沉积工艺形成电极,以实现对所述热敏电阻的电性连接。本发明在基板上通过半导体工艺形成热敏电阻,热电堆也形成在同一基板上,可以在形成热敏电阻之后或之前或形成热敏电阻时形成热电堆,可以实现热敏电阻与热电堆的更好集成。
搜索关键词: 一种 红外 热电 传感器 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路(宁波)有限公司,未经中芯集成电路(宁波)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011606853.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top