[发明专利]一种红外热电堆传感器的制造方法有效
申请号: | 202011606853.1 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112736185B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 韩凤芹;向阳辉;丁敬秀 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H10N10/01 | 分类号: | H10N10/01;H10N10/17;H10N19/00;H01C17/14;H01C17/12;H01C7/00 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种红外热电堆传感器的制造方法,包括基板以及形成在所述基板上的热敏电阻,其中在所述基板上形成所述热敏电阻的方法包括:提供基板;通过沉积工艺在所述基板上形成热敏电阻薄膜层;图形化所述热敏电阻薄膜层,形成所述热敏电阻;在所述热敏电阻的两端通过沉积工艺形成电极,以实现对所述热敏电阻的电性连接。本发明在基板上通过半导体工艺形成热敏电阻,热电堆也形成在同一基板上,可以在形成热敏电阻之后或之前或形成热敏电阻时形成热电堆,可以实现热敏电阻与热电堆的更好集成。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 热电 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
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