[发明专利]一种钯薄膜氢气传感器有效
| 申请号： | 202011581593.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112763660B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 沈方平 | 申请（专利权）人： | 苏州芯镁信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01R31/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钯薄膜氢气传感器，包括硅衬底、绝缘层、至少一个硅槽、钯合金薄膜组件、屏蔽层与控温组件；其中，钯合金薄膜组件包括对称设置的第一钯合金薄膜与第二钯合金薄膜；屏蔽层位于绝缘层上，并且还开设吸收窗口，吸收窗口与第一钯合金薄膜对应设置，用于供第一钯合金薄膜与氢气接触；控温组件包括加热线圈与测温线圈，测温线圈用于检测钯合金薄膜组件周围的温度，加热线圈用于升高钯合金薄膜组件周围的温度；硅槽与绝缘层相配合用于对钯合金薄膜组件保温。本发明采用对氢气敏感度高的钯合金，同时引入惠斯通电桥，大大提升了检测精度；其特殊的立体结构极大地提升了热响应速度，保温效果好，灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 氢气 传感器 | ||
【主权项】：
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