[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011573463.9 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113270389A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 本间荘一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/485;H01L23/482;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/18;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备配线衬底，所述配线衬底具有：焊盘，电连接于设置在绝缘衬底的配线；及绝缘材，设置在焊盘间。第1半导体芯片在与该配线衬底对向的第1面具有连接于配线衬底的焊盘的金属凸块。第1树脂层设置在绝缘材与第1半导体芯片之间。第2树脂层在配线衬底与第1半导体芯片之间覆盖第1树脂层及金属凸块的周围。第3树脂层在配线衬底上覆盖配线衬底上的构造体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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