[发明专利]一种压电衬底、制备方法及电子元器件有效
| 申请号： | 202011562159.4 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112787618B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;杨超;李洋洋;张秀全;张涛;韩智勇 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种压电衬底、制备方法及电子元器件，包括：由上至下依次层叠的压电层、低声速层和高声速层，低声速层的声速小于高声速层的声速；在高声速层中靠近低声速层预设距离制备有散射层；其中，所述散射层包括呈散点分布的微粒，所述散射层中微粒的声速小于所述高声速层的声速。当声波信号遇到低声速层和高声速层界面附近一个个低声速微粒时，会产生较强的散射，而且散射效果与声波信号频率有关，声波信号频率越大，散射作用越强，散射会使声波信号产生损耗，因此散射层可以抑制高频率下的谐振强度，从而解决高频声波信号对目标声波信号的干扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 衬底 制备 方法 电子元器件 | ||
【主权项】：
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