[发明专利]间接加热式阴极离子源有效
| 申请号： | 202011561805.5 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112687505B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·R·泰格尔;可劳斯·贝克;丹尼尔·艾凡瑞朵 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02;H01J27/08;H01J27/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。 | ||
| 搜索关键词： | 间接 加热 阴极 离子源 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011561805.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种齿轮箱
- 下一篇：一种改善离子注入机台精度的方法
