[发明专利]一种用于SOI工艺的横向SCR抗静电结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于SOI工艺的横向SCR抗静电结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。该SCR抗静电结构整体采用环状结构，包括四个区域，构成SCR的横向PNPN结构，并利用金属布线引出，可以根据要求对杂质浓度和尺寸进行调整，采用深槽隔离，可以放置在电路的任何位置。采用高能离子注入及激光退火实现对掺杂浓度及掺杂区尺寸上的精确控制，离子注入采用两步进行，注入射程分别为外延层厚度的40％和30％，采用激光退火工艺实现杂质再扩散，该工艺制备在电路其他结构形成后进行，不经过热过程，不会对电路功能和性能产生影响；采用深槽隔离工艺过程实现对SCR抗静电结构的物理及电学隔离。