[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011521563.7 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113097184A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 余振华;刘仁福;曾明鸿;江宗宪;林彦良;黄子松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种结构包括：第一集成电路管芯，包括第一管芯连接器；第一介电层，位于第一管芯连接器上；第一导电过孔，延伸穿过第一介电层，第一导电过孔连接至第一管芯连接器的第一子集；第二集成电路管芯，利用第一可回流连接器接合至第一管芯连接器的第二子集；第一密封剂，围绕第二集成电路管芯和第一导电过孔，第一密封剂和第一集成电路管芯横向地相邻；第二导电过孔，与第一集成电路管芯相邻；第二密封剂，围绕第二导电过孔、第一密封剂、和第一集成电路管芯；以及第一再分布结构，包括第一再分布线，第一再分布线连接至第一导电过孔和第二导电过孔。本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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