[发明专利]快恢复二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011520153.0 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114649420A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 曹群;郭小青 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 姚章国 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的上表面存在晶格失配；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面，且与所述第一导电类型半导体层的上表面同形，而且，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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