[发明专利]一种阻变存储器阵列的两步写操作方法有效
| 申请号： | 202011506701.4 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112489709B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;李雨佳;唐建石;高滨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种阻变存储器阵列的两步写操作方法，包括：令阻变存储器阵列中选通器和阻变存储器的初始状态均处于高阻态；对阻变存储器阵列施加第一写脉冲信号，使选通器处于低阻态、阻变存储器保持高阻态；对阻变存储器阵列施加第二写脉冲信号，使选通器和阻变存储器均处于低阻态；将第二写脉冲信号的幅值降为零，使选通器处于高阻态、阻变存储器处于低阻态，写操作完成；其中第二写脉冲信号幅值阻变存储器写操作电压第一写脉冲信号幅值选通器正向开启阈值电压，第一写脉冲信号脉冲长度选通器正向开启延迟，且第二写脉冲信号脉冲长度阻变存储器写入延迟。本发明可减小写操作过程对选通器性能的影响，降低写过程功耗和阻变器件串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 阵列 两步写 操作方法 | ||
【主权项】：
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