[发明专利]一种制备电子级锗烷联产电子级四氟锗烷的方法及装置在审
| 申请号： | 202011504902.0 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112408327A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡江;曾宪友 | 申请（专利权）人： | 天津中科拓新科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B6/06 | 分类号： | C01B6/06;C01G17/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300354 天津市津南区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备电子级锗烷联产电子级四氟锗烷的方法及装置。将二氧化锗溶解到酸中，然后加入硼氢化钠；二氧化锗和硼氢化钠在酸性环境中进行反应；得到锗烷粗品气；将锗烷粗品气在压力0.3～0.8MPa、‑70～‑35℃操作条件下进行精制，得到纯度≥99.999％的电子级锗烷产品和粗乙锗烷；将得到的粗乙锗烷与氟气进行反应；得到四氟锗烷粗品气；将四氟锗烷粗品气在压力0.2～0.7MPa、‑20.4～16.7℃操作条件下进行精制，得到纯度≥99.999％的电子级四氟锗烷产品。本发明不使用有机溶剂，原料成本低，过程简单易于实现。锗烷精制采用低温双效精馏工艺，节约能耗≥30％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 电子 级锗烷 联产 级四氟锗烷 方法 装置 | ||
【主权项】：
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