[发明专利]具有在浅沟槽下的深插塞的集成设备在审
| 申请号： | 202011500998.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112992847A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | A·帕勒亚里;S·D·马里亚尼;I·巴尔迪;D·布拉泽利;A·P·梅利尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L29/06;H01L21/48;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 罗利娜 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各实施例涉及具有在浅沟槽下的深插塞的集成设备。集成设备包括深插塞。深插塞由深沟槽形成，深沟槽从浅沟槽隔离的浅表面在半导体主体中延伸。沟槽接触件通过浅沟槽，在浅沟槽的浅表面处与深沟槽的导电填料接触。系统包括至少一个具有深插塞的集成设备。而且，用于制造该集成设备的对应过程包括以下步骤：在形成浅沟槽隔离和沟槽窗口之前形成和填充深沟槽，沟槽接触件延伸通过该沟槽窗口以与导电填料接触。半导体主体具有一定厚度，并且深沟槽小于该厚度地延伸到半导体主体中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 深插塞 集成 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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