[发明专利]低温沉积方法、半导体器件的键合方法和芯片在审
| 申请号： | 202011496631.9 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112635299A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 黄建;周璐;龙俊舟;王鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L25/065;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温氧化硅层或低温氮化硅层的沉积方法、半导体器件的键合方法和芯片。所述半导体器件的键合方法包括：提供待键合的第一晶圆和第二晶圆；在所述第一晶圆的待键合的一侧表面形成第一低温键合层；在所述第二晶圆的待键合的一侧表面形成第二低温键合层；将所述第一晶圆的所述第一低温键合层面向所述第二晶圆的所述第二低温键合层键合；其中，所述第一低温键合层和所述第二低温键合层均包括低温氧化硅层和/或低温氮化硅层，沉积温度均小于等于300℃。通过低温沉积(小于等于300℃)形成第一低温键合层和所述第二低温键合层，克服高温对器件的影响，提升器件热稳定性和可靠性，消除晶圆键合界面裂缝的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 沉积 方法 半导体器件 芯片 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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