[发明专利]一种双路参数设定霍尔离子源控制系统在审

专利信息
申请号: 202011495545.6 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112626483A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 赵学正;高军政;马文鹏;党亚军;任海军;张国同;陈新;罗鹏 申请(专利权)人: 南阳清水科技有限公司
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/32;C23C14/56
代理公司: 北京隆达恒晟知识产权代理有限公司 11899 代理人: 时移
地址: 473000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种双路参数设定霍尔离子源控制系统,包括:第一气体源、第二气体源、真空反应腔、钝化气体源、霍尔离子源;第一气体源通过第一管道与所述真空反应腔相连,第二气体源通过第二管道与所述真空反应腔相连,所述钝化气体源通过钝化气体输送管道与所述真空反应腔相连,所述第一管道、第二管道、钝化气体输送管道上均设置有电磁阀;所述霍尔离子源延伸至所述真空反应腔内部,所述电磁阀、控制器、无线收发器依次相连。采用本发明,可以实现对气体用量的监测及有效去除真空腔的杂质。
搜索关键词: 一种 参数 设定 霍尔 离子源 控制系统
【主权项】:
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