[发明专利]一种基板刻蚀方法有效
| 申请号： | 202011494499.8 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112233976B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基板刻蚀方法，涉及半导体技术领域。基板刻蚀方法包括：在基板的表面设置多层掩模结构，并在多层掩模结构上形成沿基板和多层掩模结构的设置方向投影对应的多个开口；对基板与多个开口对应的局部表面进行第一预处理以去除局部表面的杂质；对进行过第一预处理的局部表面进行刻蚀以在基板上形成与多个开口对应的预设沟槽。上述方法通过在基板表面设置多层掩模结构，并以形成多个开口后的多层掩模结构为掩模对基板进行刻蚀，以保证多层掩模结构上的开口不会因变形而影响预设沟槽的形成；同时，在对基板刻蚀前，增加可去除基板表面杂质的步骤，以防止预设沟槽受基板表面杂质的影响导致预设沟槽底部微凸起的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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