[发明专利]Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011485480.7 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112563332A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 唐晓雨;花涛;刘玉杰;赵毅 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 刘菊兰 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极。本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。 | ||
| 搜索关键词： | ge 基双栅型 ingaas nmosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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