[发明专利]一种中子辐射探测器

摘要

本发明提供一种中子辐射探测器，器件结构包括：导电碳化硅衬底、制备于导电碳化硅衬底上的非掺SiC本征外延层、制备于SiC本征外延层上的肖特基电极、制备于肖特基电极上的BN层以及制备于导电碳化硅衬底下表面的欧姆电极；所述BN层为中子转换层，中子与BN层中的B的同位素10B发生反应形成Alpha粒子；所述非掺SiC本征外延层为Alpha粒子探测层，Alpha粒子在所述非掺SiC本征外延层中产生电子‑空穴对，在外加偏压下形成信号电流，最终实现中子探测。利用BN为中子转化层，实现中子向Alpha粒子的转换。再利用碳化硅对Alpha粒子的高分辨能力，最终实现中子的有效探测。