[发明专利]选择性发射极的制备方法、电池的制备方法以及电池在审
申请号: | 202011462171.8 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112510117A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 庄宇峰;袁声召;崔艳峰;万义茂 | 申请(专利权)人: | 东方日升新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L21/225 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 周宇 |
地址: | 315600 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种选择性发射极的制备方法、电池的制备方法以及电池,属于太阳能电池技术领域。选择性发射极的制备方法包括:在非栅线区的制绒后的硅片表面形成介质掩膜,在介质掩膜表面形成掺硼非晶硅层;在栅线区的制绒后的硅片表面形成掺杂层,掺杂层含有掺硼非晶硅和/或掺硼晶体硅;以掺硼非晶硅层和掺杂层作为掺杂源,采用高温扩散的方式将掺杂源中的硼扩散入硅片。其通过一次硼扩散的方式形成选择性发射极,减少了现有技术中的高温环节和工艺步骤,适用于大批量生产。 | ||
搜索关键词: | 选择性 发射极 制备 方法 电池 以及 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的