[发明专利]集成电路校准用在片电容标准样片在审
| 申请号： | 202011451196.8 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112666506A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 黄英龙;邢荣欣;郭守君 | 申请（专利权）人： | 中国电子技术标准化研究院 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路校准用在片电容标准样片，属于集成电路领域，其包括由导电材料制成的电容结构、屏蔽结构、去嵌结构和定标结构，所述电容结构和去嵌结构用于设置在所述屏蔽结构内。所述电容结构包括用于与测量探针连接的两块电容基体，两块电容基体上分别设置有若干叉指结构，两块电容基体的叉指结构互相间隔形成电容；所述去嵌结构包括用于与测量探针连接的两块去嵌基体，两块去嵌基体与两块电容基体完全相同；定标结构用于对电容结构的几何尺寸进行定值。本发明的标准样片可用于集成电路在片小电容测试系统的校准，该标准样片的可复现的最小电容可达fF级别，通过设计屏蔽结构可固定标准样片的分布电容，提高了电容复现值的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 校准 电容 标准 样片 | ||
【主权项】：
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