[发明专利]半导体器件的加工方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202011444654.5 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112582277A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 叶国梁;陈俊宇 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/52;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件的加工方法及半导体器件。该半导体器件的加工方法包括：提供半导体预制件；其中，半导体预制件包括衬底、设置在衬底的一表面上的第一介质层以及嵌设于第一介质层内的至少一金属引出端；在第一介质层远离衬底的表面开设沟槽，沟槽暴露出金属引出端；在沟槽内形成连接垫，连接垫与金属引出端连通，且连接垫的上表面低于第一介质层远离衬底的表面；对半导体预制件进行扎针测试；其中，对半导体预制件进行扎针测试之后连接垫表面形成凸起部；在第一介质层远离衬底的表面形成第二介质层，第二介质层覆盖凸起部。该方法能够大大降低所得产品的厚度，有利于产品向轻薄化方向发展。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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