[发明专利]共晶焊接设备及其加热系统有效
申请号: | 202011444600.9 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN113161250B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 吴超;曾义;徐金万;蒋星;余再欢 | 申请(专利权)人: | 恩纳基智能科技无锡有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/67 |
代理公司: | 北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙) 11876 | 代理人: | 于理科 |
地址: | 214037 江苏省无锡市金山北科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种共晶焊接设备,用于对上晶圆和下晶圆进行共晶键合操作。共晶焊接设备包括:晶圆台,用于承载上晶圆和下晶圆并对上晶圆和下晶圆进行加热;以及压力组件,用于对上晶圆施加压力。并且,共晶焊接设备还包括:温度传感器阵列,包括设置于压力组件的下表面的多个温度传感器,并且多个温度传感器分别与上晶圆的上表面的多个区域对应;加热组件阵列,包括设置于晶圆台内的多个加热组件,并且多个加热组件位置分别与多个温度传感器的位置对应;以及控制装置,与多个温度传感器和多个加热组件进行通信,配置用于根据多个温度传感器的测量温度值,调节多个加热组件的加热温度,使得上晶圆和下晶圆在晶圆平面内的温度均匀分布。 | ||
搜索关键词: | 焊接设备 及其 加热 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩纳基智能科技无锡有限公司,未经恩纳基智能科技无锡有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011444600.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造