[发明专利]半导体开关元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011444549.1 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112951903A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | S·莱奥曼;G·内鲍尔;T·奥辛达;C·格鲁贝尔;S·阿纳尼耶夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/088;H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体开关元件，其包括：第一竖向晶体管器件，形成在衬底中，具有形成在衬底的第一侧上的源极区和形成在衬底的与第一侧在竖向上相对的第二侧上的漏极区；第二竖向晶体管器件，在同一衬底中横向形成在第一竖向晶体管器件旁边，具有形成在衬底的第一侧上的源极区和形成在衬底的第二侧上的漏极区；导电元件，布置在衬底的第二侧上，电连接竖向晶体管器件的漏极区，其中，竖向延伸到衬底中的沟槽形成在衬底的第二侧上，并且其中，导电元件的至少一部分布置在沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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