[发明专利]一种基于浓硼掺杂的MEMS感压薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011444277.5 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112678765A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李得天;柯鑫;李刚;成永军;孙雯君;吴成耀;刘珈彤;汪宁;陈会颖 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01L21/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 代丽 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于浓硼掺杂的MEMS感压薄膜的制备方法，通过采用浓硼掺杂技术中自停止腐蚀工艺可精准控制薄膜厚度，可制备微米级薄膜，从而提高电容测量重复性，有效保证真空计实际生产制备；同时采用硼硅玻璃去除方案，能够有效去除薄膜表面生成的硼硅玻璃，消除硼硅玻璃造成的杂生电容影响，同时，可有力保证薄膜与玻璃的后续键合工艺品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 mems 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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