[发明专利]制备闪烁晶体阵列的工艺方法有效
| 申请号： | 202011442632.5 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112695383B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;刘运连;薛帅;唐俊杰 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B33/02;C30B29/32;C30B29/28;C30B29/34;C30B29/10;G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张婷婷;张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备闪烁晶体阵列的工艺方法，其包括步骤：用金属丝编织成金属网；将闪烁晶体加工成块状结构并将其置于闪烁晶体上；将金属网和闪烁晶体放入充有保护气体的箱体内；对金属网进行通电加热；在垂直方向上向下移动金属网直至金属网完全贯穿闪烁晶体；在垂直方向上向上移动金属网直至金属网完全贯穿闪烁晶体；将闪烁晶体从箱体内移出并将其放置在恒温箱内以进行退火处理，由此获得闪烁晶体阵列；在闪烁晶体阵列的上表面、侧表面和下表面粘贴反射膜。本发明的工艺方法不仅加工程序简单、且无需进行灌胶或者涂胶工艺即可制备出闪烁晶体阵列，且获得的闪烁晶体阵列的稳定性和一致性好，由此提高了闪烁晶体阵列的加工效率和闪烁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 闪烁 晶体 阵列 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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