[发明专利]铌酸锂半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011438154.0 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112582534B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张国权;钱月照;张煜晨;许京军 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 魏朋 |
| 地址： | 300110*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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