[发明专利]锑化物高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202011438021.3 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112563137A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 倪健;董海云;薛聪 | 申请（专利权）人： | 埃特曼（深圳）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/207;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 魏宇星 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管及制备方法，所述制备方法包括：提供衬底；于所述衬底的表面形成电子阻挡层；于所述电子阻挡层的表面形成锑化物外延结构。通过在锑化物外延结构和衬底之间设计引入电子阻挡层，解决衬底中的原子向上层结构扩散可能带来的器件漏电以及衬底原子不可控的扩散增加沟道层中电子浓度的控制难度等问题；锑化物外延结构既保证整体锑化物高分子迁移率晶体管的正常工作，同时缓解了常见的衬底与上层锑化物存在的晶格失配的问题，进而有效提高锑化物高电子迁移率晶体管沟道的电子浓度和在室温条件下的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 锑化物高 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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