[发明专利]半导体产品的良率分析方法及良率分析系统有效

专利信息
申请号: 202011384551.4 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112163799B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 祖文秀;孙姗姗 申请(专利权)人: 晶芯成(北京)科技有限公司
主分类号: G06Q10/06 分类号: G06Q10/06
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体产品的良率分析方法及良率分析系统,包括对过站资料的良率数据进行差异性分析,对量测资料及炉管位置资料的良率数据进行相关性分析,得到各个制程站点过站资料、量测资料及炉管位置资料的指标,并采用信息熵对过站资料、量测资料及炉管位置资料赋予权重,以获得到各制程站点的关键影响因素及各制程站点的综合指标。本发明可用于对影响半导体产品质量的根本原因从数据角度进行查找,使分析结果更加准确,提高了分析效率,并及时调整参数和实验,提高良率,降低成本。
搜索关键词: 半导体 产品 分析 方法 系统
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶芯成(北京)科技有限公司,未经晶芯成(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011384551.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top