[发明专利]纳米线电极和电容电极及纳米线电极和电容电极的制备方法有效
| 申请号： | 202011382114.9 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112582184B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 武青青;朱建军;林威豪 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米线电极和电容电极及纳米线电极和电容电极的制备方法，所述纳米线电极包括位于金属层上的纳米线阵列；所述纳米线阵列包括多个纳米线结构，所述纳米线结构包括：金属纳米线中间核，且所述金属纳米线中间核垂直于所述衬底；包覆层，所述包覆层包覆所述金属纳米线中间核；赝电容层，所述赝电容层覆盖所述包覆层的表面,所述纳米线电极为核壳结构，为赝电容层附着提供支持提高赝电容材料的负载量，从而带来更高的赝电容容量的电容电极。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电极 电容 制备 方法 | ||
【主权项】：
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