[发明专利]一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011372180.8 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112480407B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 曹河文;许辉;祝春才 | 申请（专利权）人： | 浙江中科玖源新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08K9/06;C08K9/10;C08K9/04;C08K7/24;C08K3/36;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司： | 合肥金律专利代理事务所(普通合伙) 34184 | 代理人： | 杨霞 |
| 地址： | 321100 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法，包括将介孔分子筛与正硅酸乙酯、含氨基硅烷化偶联剂和氨水进行反应，得到表面氨基修饰的介孔材料；将所述表面氨基修饰的介孔材料与二胺以及二酐单体进行缩聚反应后，再进行热亚胺化并成膜，即得到所述低介电、低损耗的聚酰亚胺薄膜。本发明提出的一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法，通过在聚酰亚胺中引入尺寸均一且表面具有氨基修饰的介孔材料，使所得聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗都得到有效降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 损耗 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江中科玖源新材料有限公司，未经浙江中科玖源新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011372180.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高空光伏发电装置用便于升降维修的自清洁辅助设备
- 下一篇：一种打码机
- 同类专利
- 专利分类
