[发明专利]一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用有效
| 申请号： | 202011363519.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112582262B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 武艳青;赵润;车相辉;姚文港;董风鑫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及微加工湿法腐蚀技术领域，具体公开一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用。所述方法采用逐级腐蚀的方法，分阶段将具有多层结构的基片腐蚀至目标深度，其中，前一阶段腐蚀结束后取出基片用去离子水冲洗其表面后再进入下一腐蚀阶段；其中，采用的非选择湿法腐蚀液为体积比为1.9‑2.1:1:14‑16的溴化氢溶液、双氧水和水的混合溶液，所述溴化氢溶液的浓度为40‑45wt％，双氧水的浓度为30‑35wt％。该腐蚀方法可以保持不同材料层之间腐蚀速率一致，腐蚀后不同材料层端面光滑无台阶，同时腐蚀速率可提高到3μm/min量级。该方法可应用于具有多层材料结构的半导体激光器芯片隔离槽以及划片槽的制备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 材料 选择性 湿法 腐蚀 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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