[发明专利]一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法在审
| 申请号： | 202011351763.2 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112526310A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王瑞琳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法，所述方法包括步骤：获取待评估射频功率LDMOS器件；对所述射频功率LDMOS器件进行TLP ESD测试；对高压工作的所述射频功率LDMOS器件进行Load‑pull测试；对预设鲁棒性工艺下的所述射频功率LDMOS器件进行VSWR测试；对低压工作的所述射频功率LDMOS器件进行UIS测试；综合根据所有测试结果得到鲁棒性评估结果。本申请提供的一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法主要对封装级的射频功率LDMOS器件进行鲁棒性的评估，随着对鲁棒性研究的深入和工艺的不断优化，最终获得了可以和市场媲美的高鲁棒性LDMOS。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率 ldmos 器件 封装 级鲁棒性 评估 方法 | ||
【主权项】：
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